MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 4
-- 2 2
-- 2 6
1970 1980
1990
2000
1900
1910
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier N--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 12 Watts Avg.
1920
1930
1940
1950
1960
16.6
-- 6 0
27
26.5
26
25.5
25
-- 3 6
-- 4 2
-- 5 4
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
16.5
16.4
16.3
16.2
16.1
16
15.9
15.8
15.7
-- 4 8
-- 3 0
-- 1 8
VDD=28Vdc,Pout
=12W(Avg.)
IDQ
= 610 mA, 2--Carrier N--CDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 4
-- 2 2
-- 2 6
1970 1980
1990
2000
1900
1910
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier N--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 24 Watts Avg.
1920
1930
1940
1950
1960
16.2
-- 4 5
38.5
38
37.5
37
36.5
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
16.1
16
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
-- 3 5
-- 2 0
-- 1 8
VDD=28Vdc,Pout
=24W(Avg.)
IDQ
= 610 mA, 2--Carrier N--CDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10
12
18
1
IDQ
= 915 mA
763 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
200
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16
15
13
610 mA
458 mA
305 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
110100
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
200
-- 6 0
-- 5 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
IDQ
= 305 mA
915 mA
763 mA
458 mA
610 mA
15.2
14
100
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF6S19100GNR1
MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW
MRF6S19100HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
MRF6S19120HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
MRF6S19140HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S
MRF6S19200HSR5
MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S
MRF6S20010GNR1
MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW
MRF6S21050LSR5
MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S
MRF6S21060NR1
MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4
相关代理商/技术参数
MRF6S19060MBR1
功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S19060MR1
功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S19060N
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19060NBR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S19060NR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S19060NR1_08
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100GNR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 22W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S19100HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 WCDMA 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray